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IRFH7921PbF
Applications
HEXFET ? Power MOSFET
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High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck
Converter for Applications in Neworking &
Computing Systems
Optimized for Control FET Applications
V DSS
30V
R DS(on) max Qg
8.5m ? @V GS = 10V 9.3nC
Benefits
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Very low R DS(ON) at 4.5V V GS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage and
Current
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100% Tested for R G
Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
RoHS compliant (Halogen Free)
Low Thermal Resistance
Large Source Lead for more reliable Soldering
PQFN 5X6 mm
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I D @ T C = 25°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
30
± 20
15
12
34
120
3.1
2.0
0.025
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
–––
–––
7.9
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 9
1
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
August 16, 2013
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